.-一種低含氧量硅晶體的制備方法-SooPAT搜索摘要:本發(fā)明公開了一種低含氧量硅晶體的制備方法,包括將硅熔液置入石英坩堝反應(yīng)器內(nèi),采用定向凝固法或提拉法制備硅晶體,在硅晶體的制備過程中,將用于降低硅晶體內(nèi)氧含。

拉晶工藝標(biāo)準(zhǔn)_百度文庫閱讀文檔頁-下載券-上傳時間:年月日在線互動式文檔分享平臺,在這里,您可以和千萬網(wǎng)友分享自己手中的文檔,全文閱讀其他用戶的文檔,同時,也可以利用分享文檔獲取的積分下載文檔

東海石英管廠家_石英管_華源石英(查看)_江蘇非金屬礦產(chǎn)_云商網(wǎng)。羥基在石英玻璃中將降低高溫粘度,從而降低石英玻璃的耐溫性,石英坩堝中的羥基深入硅中將增加硅單晶的含氧量,石英玻璃用于電光源時,羥基擴(kuò)散出來將破壞鹵鎢循環(huán),嚴(yán)重影。

熔體中的晶體生長-豆丁網(wǎng)閱讀文檔頁-上傳時間:年月日可較好控制電阻率徑向均勻性缺點:石英坩堝內(nèi)壁被熔Si侵蝕及石墨保溫加熱元件的影響,易引入氧碳雜質(zhì),不易生長高電阻率單晶(含氧量通常-ppm)SiO+SiSiO(高溫及強(qiáng)熱。

半導(dǎo)體硅材料發(fā)展現(xiàn)狀-道客巴巴閱讀文檔積分-上傳時間:年月日含氧量要求對硅片大直經(jīng)化的要求出于提高生產(chǎn)率降低成本增加利潤率的目的器件廠。石英坩堝增大到極限時可能會加大采用連續(xù)供料拉晶法從而會加大對粒狀多晶硅的需求。

轉(zhuǎn)石英坩堝在單晶生長中的重要性-互聯(lián)網(wǎng)-道客巴巴閱讀文檔積分-上傳時間:年月日石英坩堝可說是重要的hotzone元..文檔格式:PDF|瀏覽次數(shù):|上傳日期:--::|下載積分:該用戶還上傳了這些文檔關(guān)于我們關(guān)于道客巴巴人才招聘聯(lián)系我們網(wǎng)。

有石英內(nèi)襯的石墨坩堝嗎_工程_化學(xué)_匿名_天涯問答目前國內(nèi)主要采用CZ法CZ法主要設(shè)備:CZ生長爐CZ法生長爐的組成元件可分成四部分()爐體:包括石英坩堝,石墨坩堝,加熱及絕熱元件,爐壁()晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu):包括籽。

微電子材料與制程第三章矽晶圓材料制造技術(shù)-工藝整合-半導(dǎo)。發(fā)貼時間：年月日-石墨基材與碳化矽顆粒的熱膨差異將引起微裂。因此CO、SiO及氬氣的分壓,以及氬氣的流量,將影響矽晶棒含氧量及石英坩堝和石墨壽命。若爐子漏氣。

單晶工藝&#;doc&#;doc-武漢東臻科技有限公司-豆閱讀文檔頁-上傳時間:年月日坩堝直拉(CZ)單晶。區(qū)熔單晶不受坩堝污染,純度較高,適于生產(chǎn)電阻率高于型硅單晶。由于含氧量低,區(qū)熔單晶機(jī)械強(qiáng)度較差。大量區(qū)熔單晶用于制造高壓整流器、晶體閘流管。

直拉硅單晶的氧和碳-豆丁網(wǎng)閱讀文檔頁-上傳時間:年月日它的含氧量一般為/cm~/cm數(shù)量級,而直拉單晶硅中的氧含量一般在/cm/cm,可見,單晶生長過程中有大量的氧進(jìn)入。石英坩堝對硅單晶的氧沾污非常嚴(yán)。

石英坩堝脫模劑廠家多晶硅和單晶熔煉專用脫模劑粉_石英坩堝脫模。您可以在這找到很多優(yōu)質(zhì)的石英坩堝脫模劑廠家多晶硅和單晶熔煉專用脫模劑粉產(chǎn)品噢。表面含氧量極低,純度可以達(dá)到.左右,可以成功的應(yīng)用到環(huán)氧樹脂、聚氨酯、導(dǎo)熱硅膠。

多晶硅鑄錠石英坩堝和氮化硅涂層的研究畢業(yè)論文-道客巴巴閱讀文檔積分-上傳時間:年月日多晶硅鑄錠石英坩堝和氮化硅涂層的研究摘要在多晶硅生產(chǎn)工藝中作為多晶硅鑄錠關(guān)鍵的輔助材料石英坩堝和氮化硅,輔材內(nèi)的雜質(zhì)含量不僅影響著多晶硅的少子壽命,而且會影。

無坩堝區(qū)熔法_中國百科網(wǎng)化硅多晶,在合適的條件下拉制硅單晶。此法可生產(chǎn)大直徑無位錯單晶及重?fù)絾尉?但由于熔硅受到石英坩堝和石墨加熱系統(tǒng)的影響,硅單晶含氧、碳雜質(zhì)量偏高。無坩堝區(qū)熔法是將。

《坩堝鋁坩堝玻璃坩堝窯鉑金坩堝類技術(shù)資料》-道客巴巴閱讀文檔積分-上傳時間:年月日石英砂經(jīng)鑄鐵層澆注時鑄鐵溶液的澆注石英砂附著在鑄鐵層的內(nèi)腔上而成的這種鑄鐵坩堝導(dǎo)熱快不增鐵抗氧化性能強(qiáng)壽命長涂料一次性使用節(jié)省了人力。

。坩堝|碳棒|刷架|硅膠管|機(jī)封|高純|電極|電機(jī)|石墨軸承-東新電碳年月日-進(jìn)入硅晶體的氧含量與上述過程中的每一個環(huán)節(jié)都有關(guān),因此影響因素較多:原料多晶硅和吹掃氣氬氣的含氧量,石英坩堝材質(zhì)和表面涂層,熔硅直徑與。