BiFeO外延薄膜電容器與異質(zhì)結(jié)的制備和性能研究-道客巴巴閱讀文檔頁-積分-上傳時間:年月日中國科學技術(shù)大學博士學位論文BiFeO<>外延薄膜電容器與異質(zhì)結(jié)的制備和性能研究姓名:焦興利申請學位級別:博士專業(yè):凝聚態(tài)物理指導教師:吳文彬摘要摘要鈣鈦礦。

含有非晶態(tài)鐵電薄膜/多晶態(tài)鐵電薄膜的電容器及其制法及該非晶態(tài)。簡介:於制備一薄膜電容元件,一非晶態(tài)鐵電(例如鈦酸鋇鍶)薄膜被用作為一金屬電極與一多晶態(tài)鐵電(例如鈦酸鋇鍶)薄膜的界面。該多晶態(tài)鈦酸鋇鍶薄膜具有一高介電常數(shù)被作。

一種鐵電電容器的制法-《安徽科技》年第期-吾喜網(wǎng)一種鐵電電容器的制法,徐東輝,安徽科技。正本發(fā)明介紹一種改進的鐵電電容器及其制法。電容器在集成電路中應用很廣,現(xiàn)在常用的是以二氧化硅作絕緣介質(zhì)隔開兩片電。

鐵電陶瓷_百科鐵電陶瓷是指某些電介質(zhì)可自發(fā)極化，在外電場作用下自發(fā)極化能重新取向的現(xiàn)象稱鐵電效應。主要的鐵電陶瓷系統(tǒng)有鈦酸鋇-錫酸鈣和鈦酸鋇-鋯酸鋇系高介電常數(shù)鐵。詳情>>簡介-原理-用途-全部

一種鐵電電容器的制法--《安徽科技》年期摘要:正本發(fā)明介紹一種改進的鐵電電容器及其制法。電容器在集成電路中應用很廣,現(xiàn)在常用的是以二氧化硅作絕緣介質(zhì)隔開兩片電極構(gòu)成的電容器。這種電容器一旦需要縮。

鐵電薄膜的制法、鐵電電容器、鐵電存儲器及制法_查詢_。一種鐵電薄膜的制造方法,其特征在于包括:少其表面形成為球狀晶體結(jié)構(gòu)的導電層的。電容電容器制法我也要評論還沒有人留言評論,您來做個吧。/發(fā)布評論專。

薄膜厚度對PZT/STO鐵電電容器隧穿電阻的影響--《功能材料》。徐東輝;一種鐵電電容器的制法[J];安徽科技;年期徐,袁新華;分布式PZT片驅(qū)動性能的實驗研究[J];甘肅工業(yè)大學學報;年期張紅芳,佘正國;探討溶膠-凝膠工藝。

鐵電薄膜的制法、鐵電電容器、鐵電存儲器及制法--錢眼。形成具有取向不規(guī)則的層狀結(jié)構(gòu)的鐵電薄膜的工序。鐵電薄膜的制法、鐵電電容器、鐵電存儲器及制法一種鐵電薄膜的制造方法,其特征在于包括:少其表面形成為球狀晶。

鐵電電容器介質(zhì)陶瓷制備工藝-《功能陶瓷及應用(版)》_價格:。價格：評分：/分品牌名：化學工業(yè)出版社類型：理科工程技術(shù)孔夫子舊書網(wǎng)網(wǎng)上書店[專業(yè)技術(shù)書店]:在線銷售《鐵電電容器介質(zhì)陶瓷制備工藝-《功能陶瓷及應用(版)》,商品價格:.,品相:十品;孔夫子圖書匯集全國各。

博士學位論文BiFeO_外延薄膜電容器與異質(zhì)結(jié)的制備和性。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的多鐵性材料BiFeO(BFO)是目前一種在室溫下同時具有強的鐵電性和磁性的單相材料,其奈爾溫度TN約為K,居里溫度Tc約為K。巨大的應用前景使其自。

一種鐵電電容器和鐵電場效應管及其制造方法--錢眼一種鐵電電容器,其特征在于包括:n型或p型半導體襯底;在半導體襯底上的反鐵電和鐵電。本發(fā)明涉及一種鐵電電容器和鐵電場效應管及其制備方法。該鐵電電容器包括:n型或p型半。

非鐵電電容器介質(zhì)陶瓷制備工藝-《功能陶瓷及應用(版)》_簡介_。價格：評分：/分品牌名：化學工業(yè)出版社類型：理科工程技術(shù)鐵電電容器陶瓷的生產(chǎn)工藝鐵電陶瓷電容器的包封半導體電介質(zhì)陶瓷BaTiO陶瓷的半導化半導體陶瓷電容器。

外延LSCO/PZT/LSCO鐵電薄膜電容器的結(jié)構(gòu)和性能--《河北大學》。.采用磁控濺射法和脈沖激光沉積法在SrTiO()襯底上制備了La.Sr.CoO(nm)/Pb(Zr.Ti.)O(nm)/La.Sr.CoO(nm)(LSCO/PZT/LSCO)鐵電電容器異質(zhì)結(jié)。

.-一種微波鐵電復合薄膜電容器及其制備方法-。摘要:本發(fā)明公開了一種微波鐵電復合薄膜電容器,其是以單晶基片為襯底、以-型微波鐵電復合薄膜為介電層、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La.Sr.CoO為電極的叉。

中溫燒結(jié)(Ba,Sr)TiO高壓鐵電電容器陶瓷性能與結(jié)構(gòu)的研究-道客。閱讀文檔頁-積分-上傳時間:年月日材料學和應用數(shù)學畢業(yè)論文-中溫燒結(jié)(Ba,Sr)TiO高壓鐵電電容器陶瓷性能與結(jié)構(gòu)的研究

一種鋁電解電容器陽極箔的制備工藝--錢眼由于鐵電薄膜的介電常數(shù)一般在以上,因此,經(jīng)過復合后,復合膜的介電常數(shù)可以達到以上,比現(xiàn)有方法制備的鋁電解電容器的陽極箔高%以上的比電容量。一種鋁電解電。

圖鐵電電容器介質(zhì)陶瓷制備工藝-《功能陶瓷及應用(版)》_。買賣鐵電電容器介質(zhì)陶瓷制備工藝-《功能陶瓷及應用(版)》等理科工程技術(shù)相關(guān)商。鐵電電容器陶瓷的生產(chǎn)工藝鐵電陶瓷電容器的包封半導體電介質(zhì)陶。

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一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜材料的制備方法_查詢_下載_檢。,損耗為%-%,經(jīng)過↑[]次反轉(zhuǎn),飽和極化和剩余極化分別只下降%和%,抗疲勞特性高于Pt底電極的PZT薄膜,漏電流密度達↑[-]A數(shù)量級,可用于薄膜電容器、鐵電存。

一種鐵電電容器和鐵電場效應管及其制造方法-之家本發(fā)明涉及一種鐵電電容器和鐵電場效應管及其制備方法。該鐵電電容器包括:n型或p型半導體襯底,在該襯底上設置的包含鐵電層和反鐵電層的雙層結(jié)構(gòu),以及在該雙層結(jié)構(gòu)設置。

一種用于儲能電容器的反鐵電陶瓷材料及其制備方法和應用,以上均為摩爾數(shù)。采用上述材料制備的儲能電容器在kV/mm的測試場強下,其可釋放的儲能密度達到.J/cm。本發(fā)明的反鐵電陶瓷材料可用于儲能多層陶瓷電容器的制造。。

PbZr,TiO鐵電電容器結(jié)構(gòu)與性能研究-道客巴巴閱讀文檔積分-上傳時間:年月日在不同的基片、不同的電極上制備了Pb(Zr,Ti)(PZT)薄膜,構(gòu)造了不同的電容器結(jié)構(gòu),并進行了多種性能的檢測和分析。采用一次退火研究了退火溫度對PZT電容器性能的影響。

鈦含量對PZT/STO鐵電電容器隧穿電阻的影響--《河北大學學報(自。近年來,鈣鈦礦結(jié)構(gòu)鐵電材料已廣泛應用于高密度的動態(tài)隨機存儲器[].電容器是存儲器的核心器件之一,為了達到兆兆位的存儲密度,需要將電容器的尺寸減小到納米量級.這時量子。

一種鑭摻雜鋯鈦酸鉛反鐵電陶瓷及其制備方法_廣搜網(wǎng)年月日-較適合作為高壓陶瓷電容器的材料。反鐵電體是比較優(yōu)越的儲能材料,用它制成的儲能電容器具有儲能密度高和儲能釋放充分的優(yōu)點。由于反鐵電體。

LSCO電容器的制備和鐵電性能-道客巴巴閱讀文檔積分-上傳時間:年月日PZT/I.SCO電容器的制備和鐵電性能、,.No.Mar.的性能具有重要的意義。同時PZT還具有良好的光學性能,玻璃作為一種廉價的光學材料廣泛應用于日常生活的各個。

鐵電陶瓷材料-豆丁網(wǎng)閱讀文檔頁-上傳時間:年月日材料工程基礎課程院系:材料與冶金專業(yè):金屬材料工程班級:-材料-學號:姓名:周聯(lián)邦日期:--摘要:本文論述了鐵電陶瓷的性質(zhì)、原理、效應。著重介紹了。

一種微波鐵電復合薄膜電容器及其制備方法_查詢_高智網(wǎng)_。本發(fā)明公開了一種微波鐵電復合薄膜電容器,其是以單晶基片為襯底、以-型微波鐵電復合薄膜為介電層、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La.Sr.CoO為電極的叉指結(jié)。

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一種用于儲能電容器的反鐵電陶瓷材料及其制備方法和應用_查。,以上均為摩爾數(shù)。采用上述材料制備的儲能電容器在kV/mm的測試場強下,其可釋放的儲能密度達到.J/cm。本發(fā)明的反鐵電陶瓷材料可用于儲能多層陶瓷電容器的制造。。

高介低燒高可靠多層電容器馳豫鐵電陶瓷材料的制備工藝一種高介低燒高可靠多層電容器弛豫鐵電陶瓷材料的制備工藝,其特征在于該陶瓷材料的組成為:Pb(Mg↓[x]Zn↓[y]Nb↓[z]Ti↓[w])O↓[]+a↓[]mol%MnO↓[]+a↓[]mol%SiO↓。