为原料,分别采用二氧化硅与金属硅、二氧化硅与氮化硅为反应体系,通过调整两种方法原料的加入比例,分别在1450、1500、1600℃×2h真空气氛炉反应烧结合成氧氮化硅。

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流化床反应器 由于具有许多优点,且能进行连续化生产,使之成为一种很有前途的直接氮化法 生产氮化硅粉体的反应器。 论文自行设计了高温流化床反应装置、预热系统、

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我们组用PECVD法制备氮化硅在单晶硅的表面生长氮化硅可是会出现各种彩色?这是为什么?如何确定我们长出的这种东西的成分???

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PECVD 法是目前能在合金化(形成 MIS 结构薄膜)之后的低温条 件下生长氮化硅薄膜的 CVD 技术[14,15]。鉴于此,人们对 PECVD 法制备氮化硅薄膜工艺技

广东化工013年第1期·50·第40卷总第63期流化床法制备硅化镁的工艺研究祁宏祥,顾克军江苏扬农化工集团有限公司,江苏扬州5009[摘要]在一

摘要 本实用新型公开了一种生产氮化硅的流化床反应器,包括物料反应区和环绕在物料反应区周围的加热装置,所述加热装置包括两个以上的加热区,所述加热区

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为了以更低的成本制备出优质Si3N4粉,北京科技大学提出了利用流化床技术常压连续在该新工艺中,高温氮化炉是决定氮化质量好坏的关键设备。对高温氮化

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答案: I：3Si + 2N 2 Si 3 N 4 ；方法一所得产品中混有硅或方法二除产品是固体外其它物质均为气体；HCl（1分）,NH 3 （1分） Ⅱ：（1）二氧化硅 （2）SiO 2 + 2C Si